| پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
سیستم همکاری در فروش فایلینا fileina فایلینا دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET |
 |
| دسته بندی | برق، الکترونیک، مخابرات |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 1967 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 101 |
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
کلمات کلیدی:
ترانزیستور
MOSFET
ترانزیستور MOSFET
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز
(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET
اثر میدان
مدارهای آنالوگ و دیجیتال
تقویت کننده متداول
فهرست:
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزیستور NMOS
ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
جریان در ناحیه تریود
تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور NMOS
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
که مستقل از ولتاژ VDS است.
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
(Weak avalanche)
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source) که در آن سورس زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.
روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
نقطه بایاس DC
شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک
گین سیگنال کوچک
مقدار مقاومت ورودی
آنالیز DC
مدل T
تقویت کننده سورس مشترک
مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
تقویت کننده گیت مشترک
مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
مقدار مقاومت خروجی:
مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک
کاربرد تقویت کننده گیت مشترک
تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower
مدل سیگنال کوچک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
بدست آوردن نقطه کار
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
| پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
سیستم همکاری در فروش فایلینا fileina فایلینا دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET |
|
| دسته بندی | برق، الکترونیک، مخابرات |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 1967 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 101 |
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
کلمات کلیدی:
ترانزیستور
MOSFET
ترانزیستور MOSFET
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز
(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET
اثر میدان
مدارهای آنالوگ و دیجیتال
تقویت کننده متداول
فهرست:
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزیستور NMOS
ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
جریان در ناحیه تریود
تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور NMOS
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
که مستقل از ولتاژ VDS است.
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
(Weak avalanche)
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source) که در آن سورس زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.
روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
نقطه بایاس DC
شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک
گین سیگنال کوچک
مقدار مقاومت ورودی
آنالیز DC
مدل T
تقویت کننده سورس مشترک
مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
تقویت کننده گیت مشترک
مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
مقدار مقاومت خروجی:
مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک
کاربرد تقویت کننده گیت مشترک
تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower
مدل سیگنال کوچک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
بدست آوردن نقطه کار
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS
ليست صفحات
تبلیغات
نویسندگان
ورود کاربران
عضويت سريع
آخرین نظرات کاربران
- عوامل موثر بر سیاست خارجی جمهوری اسلامی ایران با دولت اسلامگرای ترکیه در قبال دو...
- تبلیغات تجاری
- پروژه مفاهیم معماری با عنوان كاخ مسعودیه تهران
- مقاله رشته حقوق با عنوان امضاء الکترونیکی و قوانین حاکم بر آن
- شروط خلاف مقتضای عقد (ذات-اطلاق)
- پایان نامه کارشناسی رشته حقوق با عنوان سقط جنین
- عقیم شدن قرارداد در حقوق تجارت بین الملل
- اعسار از محكوم به
- ارزیابی روش نوین ساخت دیوارها و احیای مناطق ساحلی با استفاده از تكنولوژی ژئوتیوب
- پروژه پایانی رشته عمران با عنوان بتن آرمه
- پایان نامه كارشناسی ارشد مدیریت با عنوان تحلیل عوامل موثر بر اشتغال جوانان (29-2...
- پاورپوینت و ارائه کامل هزینه یابی بر مبنای فعالیت (Activity Based Costing)
- پایان نامه رشته حسابداری مالی با عنوان حسابداری دارایی نامشهود
- پایان نامه رشته حسابداری – بازرگانی با عنوان راه آهن جمهوری اسلامی ایران
- پایان نامه رشته حسابداری با عنوان بررسی عوامل مؤثر بر مطالبات معوق بانك تجارت(در...
- پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی کشاورزی- علوم و صنایع غذایی با عنوان مدل سازی كی...
- مقاله کارشناسی ارشد مدیریت با عنوان ضرورت بانکداری الکترونیک در شهر الکترونیک
- پایان نامه دوره کارآموزی رشته الکترونیک با عنوان تعمیر ، نگهداری و آشنایی با تلو...
- پاورپوینت و ارائه کامل دیود (Diode)
- پایان نامه مهندسی برق با عنوان جریان ac (کامل و آپدیت شده)
- جرم انگاری برخی از عنوانهای حقوقی در ایران و تاثیرملاحظه های سیاسی و اجتماعی بر ...
- بررسی چگونگی مدیریت و تاثیر آن بر عملكرد كاركنان
- نوسان ساز های سینوسی
- چگونگی تاثیرات متقابل محیط زیست و نیروگاههای برق آبی
- بررسی و تحلیل درایوهای تراكشن جریان مستقیم و القایی
- مقاله ترجمه شده سیستم CBR برای تشخیص های پیچیده پزشکی
- مقاله آموزش کامل CBR
- مقاله کارشناسی ارشد رشته مدیریت دولتی با عنوان رفتار شهروندی سازمانی
- بررسی و مطالعه عوامل اجتماعی موثر بر قانون گریزی در ایران پس از انقلاب اسلامی تا...
- بررسی علت اتحاد انگلستان و شوروی طی جنگ جهانی دوم
- حل تشریحی و جامع مسائل فصل 2 الی 8 کتاب مدیریت سرمایه گذاری پیشرفته راعی و پویان...
- گزارش کار کارورزی حقوق در دفتر وکالت+کارورزی حقوق+کارآموزی حقوق دفتر وکالت
- دانلود گزارش کارآموزی حسابداری در بیمه ایران
- مسئولیت مدنی کارفرما در حقوق ایران
- حل المسائل جزوه طراحی خطوط انتقال انرژی (سید محمدرضا نوحی)
- طرح کارآفرینی قالی
- کار تحقیقی 2: دادرسی الکترونیکی در سیستم قضایی ایران
- پرسشنامه کارت امتیازی متوازن
- نقشه های PLC مدار فرمان با نرم افزار لوگو logo soft comfort
- کد متلب روش گوس جردن
- جواب کتاب انگلیسی امریکن انگلیش فایل 2 ( American English file 2 )
- کار تحقیقی (1) موضوع:ورشکستگی در حقوق ایران و فرانسه
- دانلود نمونه سوال کمک بنای سفت کار، بنایی ، پی و بتن ریزی(سری ششم)با جواب
- آموزش رایانش ابری و شبیه ساز کلادسیم (مقدماتی)
- دانلود نمونه سوال کمک بنای سفت کار، بنایی ، پی و بتن ریزی(سری هفتم )
- مدیریت استراتژیک- مک دونالد
- جزوه کامل تایپ شده استاد اثنی عشری
- پایان نامه کارشناسی بررسی جهت گیری مذهبی با شادکامی ذهنی دانشجویان دختر و پسر
- پاورپوینت آماده: بررسی رابطه بین نوآوری سازمانی و چابکی سازمانی
- پروژه شبکه های وایرلس- شبکه های وایمکس و امنیت در شبکه های وایمکس
- ترجمه و آنالیز زمانبندی سیستم های بلادرنگ چند پردازندهای با مکانیزم تحملپذیری ...
- ترجمه مقاله بررسی نظیر به نظیرجریان سازی ویدئو
- پرسشنامه عملکرد شغلی هرسی و گلداسمیت
- پروژه کارآفرینی کارگاه خیاطی و طراحی لباس
- پرسشنامه شایعه سازمانی و شایعه پردازی
- آشنائی با سیستم مدیریت امنیت اطلاعات (ISMS)
- پارک بانوان
- بررسی جایگاه علم قاضی در نظام جزایی ایران
- تأثیر مصرف مکمل کراتین بر آمونیاک خون و برخی شاخصهای عملکردی و ساختاری در تکواند...
- پلان معماری ساختمان مسكونی 158 متری
عنوان آگهی شما
توضیحات آگهی در حدود 2 خط. ماهیانه فقط 10 هزار تومان
آرشیو آرشیو
- دی 1397
- آذر 1397
- شهريور 1397
- تير 1397
- خرداد 1397
- فروردين 1397
- دی 1396
- آذر 1396
- مهر 1396
- شهريور 1396
- تير 1396
- خرداد 1396
- ارديبهشت 1396
- فروردين 1396
- اسفند 1395
- بهمن 1395
- دی 1395
- آذر 1395
- آبان 1395
- مهر 1395
- شهريور 1395
- مرداد 1395
- تير 1395
- خرداد 1395
- ارديبهشت 1395
- فروردين 1395
- اسفند 1394
- بهمن 1394
- دی 1394
- آبان 1394
- مهر 1394
- شهريور 1394
- مرداد 1394
- تير 1394
- خرداد 1394
- ارديبهشت 1394
- فروردين 1394
- اسفند 1393
- بهمن 1393
- دی 1393
- آذر 1393
به تبلیغات هزار امتیاز دهید